买卖IC网 >> 产品目录 >> FF200R12KE3 IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

FF200R12KE3

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL
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制造商 Infineon Technologies
配置 Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流 200 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 1.05 KW
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 IS5a ( 62 mm )-7
封装
相关资料
属性
链接
代理商 FF200R12KE3
FF200R12KE3_B2
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3
FF200R12KT3_E
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  • FF200R12KE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    5 227.824 1139.12
    10 210.56 2105.6